当前位置:首页 > 标准规范 > 标准规范 >

GB/T 31225-2014椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

标准号:GB/T 31225-2014现行

中文名称:椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

英文名称:Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

发布日期:2014-09-30      实施日期:2015-04-15      作废日期: - -

中标分类:【J04】 基础标准与通用方法

ICS分类:【17.040.01】 长度和角度测量综合

范围:本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~l 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

 

更多精彩内容请搜索、关注公众号:“活水源认证咨询培训服务平台”或“huoshuiyuan001”



TAGS: GB T
关于我们
企业简介
企业文化
联系我们
互动专区
问答专区
留言反馈
问卷调查
会员之家
会员动态
会员服务
常见问题
商务合作

010-84279654

关注我们